Le problème est qu'on peut mapper en même temps l'ASIC et une page d'extension mémoire à la même adresse. Par exemple si on mappe l'ASIC et en même temps on mappe les 64Ko de RAM d'extension.
En écriture, ça ne pose pas trop souci, simplement l'écriture sera faite à la fois dans l'ASIC et dans l'extension mémoire.
Par contre en lecture, l'ASIC et la RAM étendue vont essayer en même temps d'envoyer une réponse au z80. Selon le modèle exact de RAM utilisée, l'un des deux va probablement l'emporter sur l'autre, mais cela produit un court-circuit pendant la durée de l'accès mémoire concerné. Ce qui est pas très bon pour le matériel. Je ne pense pas qu'il y ait eu de dommages importants à cause de ça, ça fait probablement chauffer les composants un peu plus que d'habitude, mais pas jusqu'à faire des dégats irréversibles à ma connaissance. Le matériel du CPC et du Plus est quand même plutôt résistant à ce genre de choses (contrairement au PCW par exemple, dont l'ASIC est beaucoup moins résistant).
Je ne crois pas qu'aucune extension mémoire existante traite ce cas particulier correctement, c'est sûr que non pour les extensions DKTronics et pour la X-Mem par exemple (Toto a annoncé qu'il travaillait sur le sujet pour cette dernière). Le test est simple à faire: par exemple lancer la démo CRTC3 ou le Soundtracker DMA, qui sont tous les deux équipés d'un code de test au démarrage pour vérifier si le problème est présent.
Le test peut être fait comme ceci (sans risque si on ne fait que des écritures dans la zone mémoire concernée):
- Mapper de la RAM d'extension à l'adresse 4000-7fff
- Mapper l'ASIC
- écrire dans l'ASIC
- Démapper l'ASIC
Si la RAM est modifiée par l'écriture dans l'ASIC, c'est que l'extension mémoire ne se comporte pas correctement.
Dans un cas un peu particulier, l'extension Nova est également concernée si on essaie de la mapper à une adresse occupée par l'ASIC. La recommandation est simplement d'éviter cette configuration, ce qui ne pose pas vraiment problème pour Nova (il suffit de choisir une autre adresse).
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